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Optimisation of Grooved Gate MOSFETS for SUB-100 NM VLSI Technology Process 1892 - Bild 1 von 1

Optimisation of Grooved Gate MOSFETS for SUB-100 NM VLSI Technology von Sreelal Sreedharan Pillai (2012, Taschenbuch)

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The short-channel and hot-carrier effects that arise when MOSFET devices are scaled down to very short channel lengths is a major topic of research in the area of VLSI technology. Grooved gate MOSFETS alleviate many of these.