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Study of Defect States in Silicon Carbide Padmaja Patnaik (u. a.) Taschenbuch - Bild 1 von 1

Study of Defect States in Silicon Carbide von Padmaja Patnaik (2013, Taschenbuch)

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Über dieses Produkt

Produktinformation

Current power electronics world require semiconductor devices which are capable of highly reliable performances under extreme conditions of voltages and temperature. Wide band gap semiconductors are more suitable in comparison to the traditional semiconductors in such cases. One such semiconductor currently in focus is SiC. This book describes the strucutral, electronic and magnetic properties of SiC. It presents the results of coputational studies of few intrinsic and extrinsic impurities in SiC and their combination too. Many conclusions are found which can throw some light on its practical usefulness. The impurities considered are, B, Al, Ga, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn and W. We have used first principle density functional theory with different exchange and correlation schemes using pseudopotentials to perform the electronic structure calculations of several defects in SiC. The theoretical background for computation has also been described in this book.

Produktkennzeichnungen

ISBN-10
3659432024
ISBN-13
9783659432026
eBay Product ID (ePID)
175661952

Produkt Hauptmerkmale

Produktart
Lehrbuch
Sprache
Englisch
Anzahl der Seiten
200 Seiten
Verlag
Lap Lambert Academic Publishing
Publikationsname
Study of Defect States in Silicon Carbide
Autor
Padmaja Patnaik
Format
Taschenbuch
Erscheinungsjahr
2013

Zusätzliche Produkteigenschaften

Hörbuch
No
Inhaltsbeschreibung
Paperback
Item Length
22cm
Item Height
1cm
Item Width
15cm
Mitautor
Gautam Mukhopadhyay, Prabhakar P. Singh
Item Weight
316g

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